Nucleo magnetico nanocristallino Finemet di Kmn1108025 Materiali per riscaldatori a induzione

Descrizione del prodotto Il nastro di AL 50uH ferireisce la memoria di cristallo nano della bobina di induzione del filtro da EMI di 220 VCA  Descrizione di prodotto    P

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Descrizione del prodotto

Kmn1108025 Induction Heater Magnetic Materials Finemet Nanocrystalline Core

Il nastro di AL 50uH ferireisce la memoria di cristallo nano della bobina di induzione del filtro da EMI di 220 VCA

 

Descrizione di prodotto

Kmn1108025 Induction Heater Magnetic Materials Finemet Nanocrystalline Core

 

 

Permeabilità Molto alta della caratteristica di memorie di Nanocrystalline sopra a bassa frequenza ad alta frequenza fino a 30Mhz. Sono molto adatte a bobina d'arresto comune di modo da essere usato come filtro da contabilità Elettromagnetica per comprimere il disturbo comune condotto di modo. Confrontato alla memoria di ferrito tradizionale, la memoria di nanocrystalline presenta molti vantaggi come alta induttanza, il buon filtro efficace, di piccola dimensione ed il volume, meno girate di collegare di rame, assorbimento di corrente di energia più Basso ed alta efficienza

   

Caratteristiche

 

Materiale: Memoria Tecnico di assistenza-basata di Nanocrystalline 
Induzione di densità Di cambiamento continuo di saturazione: 1.25T 
Permeabilità @ 10KHz: > 50000 
Permeabilità @ 100KHz: > 10500 
Temperatura di curie (º C): 560 
Impilamento del fattore: 0.78 
Magnetostrizione di saturazione (*10^-6): < 2 
Resistività (μ Ω . Cm): 115 
Spessore del nastro: 25μ M 
Figure di memoria: Memoria di Troidal
 

Applicazioni

 

> > Filtro da contabilità Elettromagnetica
> > Alimentazione elettrica passata di modo
> > Alimentazione elettrica del calcolatore
> > Comunicazione ed alimentazione elettrica della rete
> > Alimentazione elettrica dei raggi X e del laser
> > Apparecchio per saldare ed alimentazione elettrica elettrica di placcatura
> > Strumentazione a energia solare e generatore di energia eolica
> > Apparecchio elettrico della famiglia
> > Alimentazione elettrica ininterrotta (UPS)
> > Convertitore di frequenza
> > Apparecchio di riscaldamento introdotto
> > Alimentazioni elettriche ferroviarie ad alta velocità

> > Sistemi del motore di azionamento dell'invertitore di VFD

 

 

Memorie standard

 

 
Numero del pezzoDimensioni di memoriaDimensioni di casoEffictive
traversa
sezione
Media
percorso
lunghezza
PesoIndice minimo di AL
  odidentificazionehODIdentificazioneHAFelFemFe10kHz100kHz
  millimetromillimetromillimetromillimetromillimetromillimetrocm2cmgμ Hμ H
KMN9865459.86.54.511.356.10.062.61.114.23.0
KMN1208051284.514.56.36.90.073.11.615.63.7
KMN1610081610817.88.49.90.194.15.534.66.9
KMN19151019151021.213.512.30.165.36.022.04.4
KMN2012082012821.710.89.90.255.09.137.47.5
KMN211308E *21.313.6822138.80.245.59.533.06.6
KMN2520102520102817.213.20.207.11020.84.2
KMN26161026161028.31412.80.396.61944.68.9
KMN30201030201033.217.813.30.397.92237.47.5
KMN30201530201533.617.817.80.597.93356.211.2
KMN32201032201034.418.1130.478.22843.28.6
KMN32201532201534.617.918.20.708.24264.813.0
KMN40251540251544.42218.80.8810.26564.813.0
KMN40321540321544.928.818.80.4711.33831.26.2
KMN50322050322053.828.5241.4012.913168.516.4
KMN50402050402053.637.1230.7814.18034.78.3
KMN64402564402567.43729.32.3416.327790.021.6
KMN80502580502583.547.228.82.9320.443390.021.6
KMN1008020100802010575251.5628.332034.78.3
KMN1027625102762510771302.5427.951457.013.7
KMN1309030130903013585354.6834.5117285.120.4
KMN1601302516013025165125302.9345.596640.39.7
KMN1701202517012025175115304.8845.5160967.216.1


Queste memorie sono i nostri prodotti standard, noi possono anche progettare e produrre le memorie di rendimento elevato secondo i requisiti del cliente, compreso i formati, l'induttanza e le applicazioni. Possiamo aiutare i clienti a selezionare le migliori memorie di prestazione 

* Rivestito a resina epossidica

 

I nostri servizi

1. Memorie di Nanocrystalline per le bobine d'arresto comuni di modo

Kmn1108025 Induction Heater Magnetic Materials Finemet Nanocrystalline Core

2. Memorie di nanocrystalline ed amorfe c

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3. Memorie su ordinazione e componenti magnetiche

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Indirizzo: 1/F, NO 5, strada di Pingxi 5,
Scienza di Nanping e zona di tecnologia,  
Zhuhai, Guangdong, Cina, 519060,

 

 

 

 

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